三星押注4納米芯片

全球最大的內存芯片制造商之一三星電子公司計劃使用其尖端工藝生產下一代高帶寬內存HBM4，該型號是為人工智能（AI）設備提供動力的核心芯片。“三星想通過其4納米制程工藝在HBM（高帶寬內存）領域占據主導地位。”《韓國經濟日報》報道稱，三星想以此舉對抗其競爭對手SK海力士和臺積電。

據“韓國商業”網站報道，HBM是一種用于顯卡、數據中心、人工智能等高性能計算應用的內存芯片。與傳統內存芯片相比，它的效率更優。AI熱潮下，機器學習等需要大量計算能力和內存帶寬，對HBM需求增加。

去年4月，韓國存儲芯片制造商SK海力士和中國臺灣晶圓代工企業臺積電簽署了合作開發HBM4的諒解備忘錄，為AI領域的頭部企業英偉達提供相關產品，這一合作被很多媒體稱為“HBM聯盟”。

目前，為SK海力士拿下HBM市占率第一寶座的產品是HBM3。業內人士透露，SK海力士正加快開發HBM4和HBM4E，計劃在2025年和2026年量產，以與英偉達的AI加速器發布時間一致。受益于英偉達股價上漲，作為其重要供應商，SK海力士的價值也在上升。

一直以來，三星與SK海力士在存儲芯片市場競爭激烈。AI熱潮下，雙方更是通過新產品開發和大規模生產來獲得優勢。據《韓國經濟》報道，面對SK海力士和臺積電組成的聯盟，三星電子決定利用自身“綜合半導體企業”的優勢，獨自完成HBM生產、芯片設計等工作。從明年開始批量生產的HBM4市場的競爭格局將是“三星電子vs臺積電+SK海力士”。

三星此次押注4納米被業內認為是要收復HBM市場份額的“失地”，目前SK海力士在這一市場仍排名第一。當初業內很多人預測，三星電子將在HBM4生產上使用7納米或8納米工藝，因為三星7納米工藝從2019年開始廣泛使用，是穩定工藝，但此次三星一下子提升至4納米，是為了實現“HBM的逆轉”。半導體業界相關人士表示，“和7納米、8納米相比，4納米制程花費很大，但在芯片性能和用電量方面表現更優秀”。

Trend Force集邦咨詢透露，三星電子4納米工藝良率已達到70%以上，與臺積電水平相似。因此有分析稱，若提高價格競爭力，三星或許有機會。

“與臺積電和SK海力士不同，芯片設計人員參與HBM4生產是我們的獨特優勢。”三星一位高管表示。據“韓國商業”網站報道，三星電子已在其設備解決方案部門新設“HBM開發組”，新成立的開發團隊將專注于推進HBM3、HBM3E和下一代HBM4技術。

對于三星的計劃，SK海力士和臺積電已準備采取相應措施。據《韓國經濟日報》報道，兩家公司決定在原計劃的12納米制程基礎上，增加5納米制程工藝來生產HBM4。

“三星和SK海力士之間爭奪AI芯片霸權的競爭正在升溫，尤其是在HBM4芯片方面。三星面臨的第一個挑戰是讓其HBM芯片獲得英偉達的批準。”《韓國經濟日報》援引一位專業人士的話分析稱。

此外，美國存儲芯片企業美光也將目光鎖定HBM市場，該公司6月公布的一份報告顯示，其計劃將HBM市場份額從目前的“中等個位數”提高到一年后的20%左右。

在全球HBM市場上，根據Trendforce集邦咨詢數據，SK海力士2024年市場份額預計將超過52%，三星緊隨其后，為42.4%，而美光預計只占據5%的市場份額。“我們認為三星需要一些時間才能趕上，這是因為存在一定的技術差異，”《日經亞洲評論》援引惠譽分析師謝莉·江的話表示，“從中長期來看，我們認為市場結構不會發生巨大變化。”

此前，SK海力士還發布全球招聘廣告，為48個HBM相關職位招聘有經驗的員工?！俄n國經濟日報》報道說，三星電子對此處于高度戒備狀態，因為它正面臨著超過6500名工人的罷工，且半導體部門的員工是此次罷工的主力。但據韓國《朝鮮日報》11日報道，目前三星電子的5個工會中只有“全國三星電子工會”在罷工。由于參與罷工的人數較少，實際芯片生產出現問題的可能性不大。但是由于信賴度下降，招攬客戶方面或許會遇到阻礙。

(家電網? HEA.CN)